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元器件失效分析方法与常见模式解析

标题:元器件失效分析方法与常见模式解析

引言

在电子产品的研发、生产和使用过程中,元器件失效是导致系统故障的主要原因之一。无论是电阻、电容、二极管、晶体管,还是集成电路(IC)、连接器等,任何元器件的性能退化或功能丧失都可能引发整机工作异常,影响产品可靠性与安全性。为查明失效原因、优化设计、提升制造质量,需进行系统的元器件失效分析(Failure Analysis, FA)。本文依据国家标准和行业通用实践,系统介绍元器件失效分析的流程、技术手段及典型失效模式,内容客观、科学,不涉及任何品牌、产品推荐或功效宣称,符合相关法规要求。


一、元器件失效分析的定义与目的

失效分析是指通过物理、化学、电学等方法,对发生故障的电子元器件进行检测、解剖和诊断,识别其失效模式并追溯根本原因的技术过程。

主要目的包括

  • 确定失效机理(如过电应力、热疲劳、腐蚀等);

  • 区分设计缺陷、制造缺陷或使用不当;

  • 支持质量改进与供应链管理;

  • 满足产品认证、售后分析和可靠性评估需求。


二、元器件常见失效类型

失效类别典型表现
电气失效开路、短路、漏电、参数漂移(如电容容量下降)、击穿
热失效过热烧毁、焊点熔融、封装裂纹、热应力开裂
机械失效引脚断裂、封装破裂、内部键合线脱落
材料老化封装材料黄变、吸湿分层、金属迁移
工艺缺陷虚焊、空洞、杂质污染、镀层不良

三、失效分析基本流程

步骤操作内容
1. 信息收集获取元器件型号、批次、使用电路、故障现象、工作环境(温度、湿度、电压等)
2. 非破坏性检查目视检查、X射线检测(AXI)、红外热成像、电参数测试
3. 功能验证在安全条件下通电测试,确认失效现象(如是否导通、阻值异常)
4. 环境应力筛选(可选)进行温循、振动等试验,复现失效
5. 破坏性分析剖切、去封、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)等深入检测
6. 原因判定综合所有数据,确定失效模式与根本原因
7. 报告输出编制分析报告,提出改进建议

四、常用失效分析技术与设备

分析项目检测方法使用设备主要用途
外观检查目视或显微观察数码显微镜、金相显微镜发现表面裂纹、烧痕、腐蚀、变形
内部结构检测X射线透视X射线检测仪(AXI)观察内部引线、焊点、空洞、断裂
电参数测试阻抗、电压、电流测量万用表、LCR表、示波器判断开路、短路、参数偏移
热分布分析表面温度检测红外热像仪发现局部过热点
去封处理去除塑封料化学开封(酸蚀)或等离子刻蚀暴露芯片与键合结构
微观形貌观察表面与断口分析扫描电子显微镜(SEM)观察微观裂纹、熔球、烧蚀痕迹
元素成分分析材料成分检测能谱仪(EDS)识别污染物、腐蚀产物、异物
结构剖切截面分析离子研磨 + SEM检查焊点空洞、界面分层、金属间化合物(IMC)

五、典型失效模式与可能原因

失效现象可能原因分析要点
元器件短路过电应力(EOS)、静电放电(ESD)、内部击穿、金属迁移检查烧毁痕迹、SEM观察熔融区
元器件开路键合线断裂、引脚虚焊、内部走线断裂X射线观察引线连接,SEM检查断口
参数漂移老化、受潮、温度循环疲劳对比初始参数,分析环境应力
封装开裂热应力、机械冲击、吸湿后回流焊“爆米花”效应观察裂纹走向,结合工艺追溯
焊点失效虚焊、空洞过多、热疲劳裂纹X射线检测空洞率,截面分析裂纹形态
漏电增大表面污染、湿气侵入、栅氧击穿(MOSFET)清洁后复测,EDS分析污染物
批量失效材料批次问题、生产工艺失控扩大样本量,追溯生产记录

六、失效分析注意事项

注意事项说明
安全操作高压、高温设备需专人操作,化学开封注意防护
避免二次损伤拆卸、运输过程中防止人为损坏
保持原始状态未分析前不得随意清洗或通电
环境追溯考虑温湿度、电源波动、EMI等使用环境因素
标准依据参考GJB 548、MIL-STD-883、IEC 60749等国内外标准
数据保密客户信息与分析结果应严格保密

结语

元器件失效分析是电子产品质量保障体系中的关键技术环节。通过规范的分析流程与先进的检测手段,可精准定位失效根源,为企业改进设计、优化工艺、提升可靠性提供科学依据。在高密度、小型化、长寿命电子产品日益普及的今天,建立完善的失效分析能力,是实现高质量制造的重要支撑。

每一次失效的背后,都隐藏着改进的机会。 科学、严谨的分析态度,是通往更高可靠性的必经之路。


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